LFU:online

Ziel des Kurses ist es, erweiterte Kenntnisse über fortgeschrittene Leistungshalbleiterbauelemente sowie deren mögliche Fehlerursachen, Ansteuerungstechniken und Schutzmaßnahmen zu vermitteln.

•   fortgeschrittene Si- und WBG-Leistungshalbleiter
•   verschiedenste Ausfallarten von Leistungshalbleitern und Leistungswandlern
•  Entwirf und Auswahl von Leistungsbauelemente für eine gegebene Wandlertopologie und Spezifikation
• Analyse, Entwurf und Test von Gate-Treiber sowie Leistungshalbleiter

Leistungsdioden, Integrated Gate Commuted Thyristors (IGC-Thyristor), Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors (MOSFETs), Wide Band Gap (WBG) Leistungsbauelemente, Silicon Carbide Power Semiconductors (SiC SBD & SiC MOSFET), GaN Transistoren

• Mündliche Prüfung: 80%
• Hausaufgaben: 10%
• Mitarbeit: 10%

[1]     P. J. Grbović, Power Electronics & Drives, UIBK & i-PEL Script (OLAT)

[2]     P. J. Grbović, Power Devices & Gate Drivers, UIBK & i-PEL Script (OLAT)

[3]     R. Ericson, D. Maksimović, Fundamentals of Power Electronics, Kluwer Academic Publishers New York, Boston, Dordrecht, London, Moscow, eBook ISBN: 0-306-48048-4 Print ISBN: 0-7923-7270-0.

[4]     J. B. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer US, eBook ISBN 978-0-387-47314-7, Softcover ISBN 978-1-4899-7765-6

[5]     Ned Mohan, Tore M. Undeland and Wiliam P. Robbins, Power Electronics; Converters, Applications & Design, John Wiley & Sons, Inc., Part 6, Chapters 19 to 26, pp. 505-666.

[6]     Stefan Linder, POWER SEMICONDUCTORS, CRC & EPFL Press,

Josef Lutz, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann and Rik De Doncker, Semiconductor Power Devices, Physics, Characteristics, Reliability, Second Edition, Springer International Publishing AG 2018, ISBN 978-3-319-70916-1 ISBN 978-3-319-70917-8 (eBook).