850629 UE Leistungshalbleiter

Sommersemester 2024 | Stand: 29.02.2024 LV auf Merkliste setzen
850629
UE Leistungshalbleiter
UE 1
1,5
wöch.
jährlich
Englisch

Ziel dieses Kurses ist es, den Studenten Werkzeuge an die Hand zu geben, mit denen sie fortschrittliche Leistungshalbleiter, Fehlermöglichkeiten, Ansteuerungstechniken und Schutzmaßnahmen analysieren und verstehen können.

Leistungsdioden, Integrated Gate Commuted Thyristors (IGC-Thyristor), Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors (MOSFETs), Wide Band Gap (WBG) Leistungsbauelemente, Silicon Carbide Power Semiconductors (SiC SBD & SiC MOSFET), GaN Transistoren

siehe Termine
Gruppe 0
Datum Uhrzeit Ort
Fr 08.03.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 15.03.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 22.03.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 12.04.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 19.04.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 26.04.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 03.05.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 10.05.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 17.05.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 24.05.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 31.05.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 07.06.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 14.06.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 21.06.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei
Fr 28.06.2024
10.15 - 11.00 HSB 8 HSB 8 Barrierefrei