850629 UE Leistungshalbleiter
Sommersemester 2026 | Stand: 02.12.2025 | LV auf Merkliste setzenDipl.-Ing. Andreas Johann Hanschek, BEng
Dipl.-Ing. Andreas Johann Hanschek, BEng, +43 512 507 62832
850629
UE Leistungshalbleiter
UE 1
1,5
wöch.
jährlich
Englisch
Ziel dieses Kurses ist es, den Studenten Werkzeuge an die Hand zu geben, mit denen sie fortschrittliche Leistungshalbleiter, Fehlermöglichkeiten, Ansteuerungstechniken und Schutzmaßnahmen analysieren und verstehen können.
Leistungsdioden, Integrated Gate Commuted Thyristors (IGC-Thyristor), Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors (MOSFETs), Wide Band Gap (WBG) Leistungsbauelemente, Silicon Carbide Power Semiconductors (SiC SBD & SiC MOSFET), GaN Transistoren
siehe Termine
- Fakultät für Technische Wissenschaften
- SDG 7 - Bezahlbare und saubere Energie: Zugang zu bezahlbarer, verlässlicher, nachhaltiger und moderner Energie für alle sichern
- SDG 9 - Industrie, Innovation und Infrastruktur: Eine widerstandsfähige Infrastruktur aufbauen, breitenwirksame und nachhaltige Industrialisierung fördern und Innovationen unterstützen
- SDG 13 - Maßnahmen zum Klimaschutz: Umgehend Maßnahmen zur Bekämpfung des Klimawandels und seiner Auswirkungen ergreifen
|
Gruppe 0
|
||||
|---|---|---|---|---|
| Datum | Uhrzeit | Ort | ||
|
Do 12.03.2026
|
08.30 - 10.00 | HSB 8 HSB 8 | Barrierefrei | |
|
Do 26.03.2026
|
08.30 - 10.00 | HSB 8 HSB 8 | Barrierefrei | |
|
Do 23.04.2026
|
08.30 - 10.00 | HSB 8 HSB 8 | Barrierefrei | |
|
Do 07.05.2026
|
08.30 - 10.00 | HSB 8 HSB 8 | Barrierefrei | |
|
Do 21.05.2026
|
08.30 - 10.00 | HSB 8 HSB 8 | Barrierefrei | |
|
Do 18.06.2026
|
08.30 - 10.00 | HSB 8 HSB 8 | Barrierefrei | |